9 月 10 日消息，内存墙是当前 AI 产业最核心的瓶颈之一。美国初创公司 Kepler Computing 结束长达 7 年的隐身研发，

高调发布全新内存方案，宣称性能将超越 HBM。

Kepler Computing 正式开通 X 账号对外官宣这款前沿内存产品。新品无需 EUV 光刻机制造，每瓦带宽接近 SRAM，

容量更是 SRAM 与 HBM 的十倍以上。公司已拿下 4.68 亿美元融资，自建专属晶圆厂；内存样品将于今年推出，

计划 2027 年量产，2028 年在美国进一步扩产。

这款新品大概率属于 3D RAM 架构，详细技术参数暂未披露。为打消外界对于项目真实性的质疑，

Kepler Computing 着重介绍团队背景：成员主导过早期 3D 芯片堆栈技术、迭代第七代 DRAM，量产过数十亿颗芯片；

打造全球首款商用物理综合工具，攻克铁电材料长期技术难题，研发出超越 CMOS 的逻辑器件。

这套低调蛰伏、一朝亮剑的宣传风格，很容易让人猜想创始人背景。查阅资料后可以确认，创始团队来自南亚。

团队同时汇集白人、黑人、亚裔等不同族裔的半导体资深工程师，履历光鲜，

不少人号称是相关技术的开创者或发明人，只是很少提及对应的任职企业。

从现有信息判断，该新品依靠 3D 芯片堆叠实现超高存储密度与性能优势，并且可以避开昂贵的 EUV 工艺。

不过 3D 内存并非新概念，十多年来行业内多次出现同类 “革命性产品” 的发布，宣传容易，量产落地才是最大难关。

市场也存在不少疑问：仅凭 4.68 亿美元融资就要搭建晶圆厂，这件事本身就令人费解。这笔资金甚至未必够先进工艺流片，量产的可行性仍有待观察。