9 月 5 日消息，国内半导体设备龙头北方华创于 IEEE 期刊发布论文，公布 3D DRAM 工艺重要技术突破。自研两步循环刻蚀新工艺，

有望助力长鑫存储绕开 EUV 光刻机限制，推动 3D DRAM 国产化落地。

3D DRAM 是 DRAM 技术未来主流方向，核心思路告别平面微缩，采用晶体管三维垂直堆叠模式，依靠多层堆叠提升存储单元密度。

在 EUV 对华出口管制的大环境下，该技术为国内存储产业打通一条规避光刻壁垒的可行路线。

北方华创这套工艺面向硅‑硅锗交替堆叠的 64 层 3D DRAM 架构。生产环节需要精准刻蚀去除硅锗层，在硅层间隙内制作字线、位线、栅极等微结构。

但高深宽比结构的横向选择性刻蚀属于行业共性难点，很容易造成硅骨架损伤、各层刻蚀不均等缺陷。

北方华创创新的两步循环刻蚀，分为刻蚀、清理两个阶段循环作业。第一阶段采用无偏置电中性氟自由基定点刻蚀硅锗层；

第二阶段通入反应气体清除底部副产物沉积物，保障刻蚀气体可以垂直深入结构内部。

论文数据显示，该工艺硅锗对硅刻蚀选择比超 500:1；200 纳米夹层内硅层单次损耗控制在 10 埃（1 纳米）以内；

64 组交替堆叠层结构均匀度可达 95% 以上。

行业观点指出，长鑫存储如果集成北方华创刻蚀设备与配套工艺，将显著加快 3D DRAM 自主量产进度。不依赖 EUV 的条件下，

国产存储企业可进一步迭代芯片密度与性能。