8 月 26 日消息，据相关报道，国产 NAND 闪存厂商长江存储正加速推进产能扩建，计划力争在 2027 年底超越三星、

SK 海力士，登顶全球 NAND 市场。

当前长江存储 NAND 闪存全球市场份额约 14%，与三星相差约 10 个百分点。三星、SK 海力士、美光虽均有工厂在建，

但扩产重心偏向 DRAM 与 HBM，NAND 业务扩产优先级较低。

与之不同，长江存储几乎将资源全部聚焦 NAND 赛道，凭借差异化布局，其 NAND 产能增速显著高于海外同行。 产能规划显示，

2027 年初长江存储总产能将达到月产 30 万片晶圆，部分产能用于 LPDDR 产品；同期 SK 海力士 NAND 月产能约 26 万片。

旗下 Fab4、Fab5 两座新工厂各规划 10 万片月产能，洁净室将于明年完工，后续五座新工厂陆续投产，将进一步拉动整体产能大幅增长。

不过业内分析认为，长江存储 2027 年底直接拿下全球第一存在不小难度。三星可随时将 DRAM、HBM 在建产线改造为 NAND 产线，

快速释放大量 NAND 产能。长远来看长江存储正在持续缩小与头部厂商的差距，但最终实现反超的时间节点，仍要看三星的产能调配策略。