8 月 20 日消息，据媒体报道，全球利基型存储 IDM 大厂华邦电子宣布，提前推进中国台湾高雄路竹厂扩产，

把原本分阶段建设的二、三期项目整合为 Module B 工厂同步开发。

无尘室预计 2027 年动工，最快 2029 年初开展设备装机。

代理式 AI（Agentic AI）的旺盛需求，是本次加速扩产的核心动因。行业机构分析，AI 持续拉动存储容量与先进封装需求，

这一增长态势还将长期延续。目前已有客户提前锁定 2029‑2030 年的产能配额，市场对其新增产能诉求强烈。

高雄 Module B 工厂将布局 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer‑on‑Wafer（WoW）、硅电容（Si‑Cap）多条产线，

覆盖 14 纳米 DRAM，后续迭代至 12 纳米制程，并规划导入 EUV 设备。设备不会一次性全部到位，

华邦将结合客户需求预测与长期供货协议分阶段导入，严控资本开支，维持财务灵活性。

行情层面，机构表示华邦电子第三季利基型 DRAM、SLC NAND 供给紧张，预估季涨幅约 50%；

NOR Flash 受云厂商大举备货影响，产能被大量占用，季涨幅约 30%。

虽然第四季存储芯片涨价幅度将回落至 2%‑5%，但依托 DRAM 产能释放与出货提升，机构预判华邦电子营收、利润依旧有望环比走高。